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 GHT-G-絕緣材料體積表面積電阻率測試儀

一.GHT-G-絕緣材料體積表面積電阻率測試儀概況：

(1)適用標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 22042-2008《服裝 防靜電性能 表面電阻率試驗方法》；EN 1149-1-1995 《防護服 靜電性能 第1部分表面電阻檢驗方法和要求》；GB/T 1410-2006《固體絕緣材料體積電阻率和表面電阻率試驗方法》（與標(biāo)準(zhǔn)IEC93-1980等效）；FZ/T 64013-2008 《靜電植絨毛絨》；SJ/10694-2006《電子產(chǎn)品制造與應(yīng)用系統(tǒng)防靜電檢測通用規(guī)范》6.1及ASTM D257《絕緣材料的直流電阻或電導(dǎo)試驗方法》要求制作。 GB/T 2439-2001《硫化橡膠或熱塑性橡膠 導(dǎo)電性能和耗散性能電阻率的測定》；GB/T 10581-2006 《絕緣材料在高溫下電阻和電阻率的試驗方法》 ；GB/T 1692-2008 《硫化橡膠絕緣電阻率的測定》；GB/T 12703.4-2010 《紡織品靜電性能的評定 第４部分：電阻率》

GB/T 10064-2006《測定固體絕緣材料絕緣電阻的試驗方法》。

二.適用范圍：

適用于測量粉末、粉體、顆粒物、電子元器件、介質(zhì)材料、電線電纜、防靜電產(chǎn)品、如防靜電鞋、防靜電塑料橡膠制品、計算機房防靜電活動地板等電阻值等絕緣性能的檢驗和電子電器產(chǎn)品的絕緣電阻測量。

三.絕緣材料體積電阻率測試儀特點：

本儀器既可測量超高電阻，又可測極微弱電流。采用了大規(guī)模集成電路以及新的技 術(shù)，使儀器體積小、重量輕、準(zhǔn)確度高。以數(shù)字液晶顯示電阻并同時直接顯示流過被測電阻的電流。電阻量程從1×104Ω ～1×1018Ω，電流測量范圍 為2 ×10-4A ～1 ×10-16A。機內(nèi)測試電壓為DC0-1000v無極可調(diào)

四.絕緣材料體積電阻率測試儀主要參數(shù)：

1.電阻測量范圍：0.01×104Ω ～1×1018Ω，

2.電流測量范圍: 2×10-4A～1×10-16A，

3.顯示方式：觸摸屏顯示 

4.內(nèi)置測試電壓：0-1000v 

5.基本準(zhǔn)確度：準(zhǔn)確度優(yōu)于國家標(biāo)準(zhǔn)（詳見GBT3048.5-2007標(biāo)準(zhǔn)要求）

6.使用環(huán)境: 溫度：0℃～40℃，相對濕度<80%     

7.機內(nèi)測試電壓: 0-1000v 任意切換 

8.供電形式: AC 220V，50HZ，功耗約10W

絕緣材料體積電阻率測試儀工作特點：

根據(jù)歐姆定律，被測電阻Rx等于施加電壓V除以通過的電流I。傳統(tǒng)的高阻計的工作原理是測量電壓V固定，通過測量流過取樣電阻的電流I來得到電阻值。從歐姆定律可以看出，由于電流I是與電阻成反比，而不是成正比，所以電阻的顯示值是非線性的，即電阻無窮大時，電流為零，即表頭的零位處是∞，其附近的刻度非常密，分辨率很低。整個刻度是非線性的。又由于測量不同的電阻時，其電壓V也會有些變化，所以普通的高阻計是精度差、分辨率低。

 本臺電阻率測試儀是同時測出電阻兩端的電壓V和流過電阻的電流I，通過內(nèi)部的大規(guī)模集成電路完成電壓除以電流的計算，然后把所得到的結(jié)果經(jīng)過A/D轉(zhuǎn)換后以數(shù)字顯示出電阻值，即便是電阻兩端的電壓V和流過電阻的電流I是同時變化，其顯示的電阻值不象普通高阻計那樣因被測電壓V的變化或電流Ｉ的變化而變，所以，即使測量電壓、被測量電阻、電源電壓等發(fā)生變化對其結(jié)果影響不大，其測量精度很高()，從理論上講其誤差可以做到零，而實際誤差可以做到千分之幾或萬分之幾。

售后服務(wù)：

山西冠恒精電儀器設(shè)備有限公司是集專業(yè)設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)與銷售于一體的技術(shù)股份制企業(yè)，專注于新型材料試驗機的研制、材料檢測技術(shù)的提高及材料試驗方法的創(chuàng)新，是國內(nèi)的材料試驗檢測儀器的生產(chǎn)企業(yè)。

我們承諾在接到客戶問題反饋3小時，給出相應(yīng)解決方法、如遇到需要上門服務(wù)時，會根據(jù)客戶要求上門服務(wù)。本儀器質(zhì)保1年，在質(zhì)保期內(nèi)，除人為因素原因，不可抗拒的環(huán)境因素外，維修免費。并且可根據(jù)客戶反饋信息進行儀器升級，儀器升級后新老客戶可申請已舊換新業(yè)務(wù)，具體電聯(lián)可詳談，本公司對上訴有*終解釋權(quán)。

影響電阻的因素一．環(huán)境因素的影響環(huán)境因素是指產(chǎn)生點陣畸變的外界條件，主要指溫度和應(yīng)力。(一)溫度的影響若認(rèn)為導(dǎo)電電子是*自由的，而原子的振動彼此無關(guān)，則電子的平均自由程與晶格振動的振幅平方的平均值成反比。由于與溫度成正比，所以ρ∝T。在理想完整的晶體中，電子的散射只取決于溫度所造成的點陣動畸變，即金屬的電阻取決于離子的熱振動。當(dāng)溫度高于時，純金屬的電阻和溫度成正比。（2—9）式中α為電阻溫度系數(shù)，過渡族金屬，特別是鐵磁金屬的α值較大，約為10-2數(shù)量級，其它金屬α值均為10-3數(shù)量級；表示溫度變化△T時ρ的變化。若考慮振動原子與導(dǎo)電電子間的相互作用，用量子力學(xué)方法可以獲得低溫下(低于)電阻的表達(dá)式，為（2—10）式中A為系數(shù)，為積分變數(shù)。低溫時，積分值趨于常數(shù)124.4，因此，。它類似于比熱容的德拜三次方定律。式(2—11)也稱格留乃申定律。的關(guān)系對于多數(shù)金屬都適用。對于過渡族金屬則(n為2.0一5.3)。一般金屬，當(dāng)溫度接近0 K時，仍有殘留電阻。但有些金屬，例如Ti、V、Nb、Zr、Al等，當(dāng)溫度低于某臨界值時電阻下降為零，它們被稱為超導(dǎo)金屬。金屬溶化時，由于點陣規(guī)律性遭到破壞及原子間結(jié)合力的變化，熔點(Tm)處液態(tài)金屬的電阻比固態(tài)約大一倍。除Ga、Hg、Sb、Bi外，大多數(shù)金屬熔化時電阻的躍變可通過式(2—11)計算( )Tm=exp(KtLmTm) （2—11）式中Lm為熔化潛熱(kJ／mol)；ρL和ρS分別為Tm處液態(tài)和固態(tài)的電阻率；K1為系數(shù)，其值為80kJ-1·mol·K-1。(二)應(yīng)力的影響彈性范圍內(nèi)的單向拉應(yīng)力，能使原子間的距離增大，點陣的動畸變增大，由此導(dǎo)致金屬的電阻增大。電阻率與應(yīng)力之間有如下的關(guān)系（2—12）式中ρT為受拉應(yīng)力作用下的電阻率；ρ0為未加負(fù)荷時的電阻率；αT為應(yīng)力系數(shù)；σ為拉應(yīng)力。鐵在室溫下的應(yīng)力系數(shù)αT約為2.11—2.13×10-11Pa-1。壓力對電阻的影響恰好與拉應(yīng)力相反，由于壓力能使原子間距變小，點陣動畸變減小，大多數(shù)金屬在三向壓力（低于1200MPa)的作用下，電阻率都下降，并且有如下的關(guān)系（2—13）式中為三向拉力下的電阻率；為真空下的電阻率；p為壓力；φ為壓力系數(shù)，是負(fù)值。二、組織結(jié)構(gòu)的影響組織結(jié)構(gòu)是影響電阻的內(nèi)部因素，金屬及合金的結(jié)構(gòu)取決于塑性形變及熱處理工藝。(一)塑性形變的影響形變使金屬的電阻增大。鋁、鋼、鐵、銀和其它一些金屬在具有顯著的加工硬化時，它們的電阻率增加約2—6％，只有鎢是例外，大量擠壓之后，電阻可增大百分之幾十。金屬經(jīng)過塑性形變使電阻增大的原因是由于形變使點陣產(chǎn)生缺陷和畸變，導(dǎo)致電子波的散射增強；此外，冷加工也可能引起原子間的結(jié)合性質(zhì)發(fā)生變化，從而對電阻產(chǎn)生影響。如果用ρ0表示未經(jīng)加工硬化金屬的電阻率，△ρ表示加工硬化產(chǎn)生的附加電阻率，金屬加工硬化后的電阻率ρ＝ρ0+△ρ。從電阻和溫度的關(guān)系可知，當(dāng)溫度降低時ρ0減小，在0k時趨近于零。附加電阻△ρ只受加工程度的影響，與溫度無關(guān)，即便是溫度為0k時它仍然存在，故稱為殘留電阻。△ρ／ρ隨溫度降低而增大，所以用低溫測量電阻的方法研究加工硬化是很合適的。形變金屬的電阻增大與形變量及形變溫度有關(guān)。鉭絲經(jīng)扭轉(zhuǎn)形變，△ρ／ρ0和扭轉(zhuǎn)形變量的關(guān)系如圖2—5所示。于77K和298K測量的結(jié)果表明，電阻隨形變量增大而增大；并且形變溫度愈低，電阻增加得就愈快。從圖2—5可以看到電阻的變化反映了形變強化的一般規(guī)律。圖2-5 鉭絲電阻的相對變化和扭轉(zhuǎn)形變的關(guān)系(二)熱處理的影響形變和應(yīng)力都能破壞周期場的規(guī)整性，使電阻增大，若對加工硬化的金屬進行退火，使它產(chǎn)生回復(fù)和再結(jié)晶，電阻就必然下降。例如，純鐵經(jīng)過加工硬化之后，進行100℃退火處理，電阻便有明顯地降低。如要進行520℃退火，電阻便恢復(fù)到加工前的水平。但當(dāng)退火溫度高于再結(jié)晶溫度時，由于再結(jié)晶生成的新晶粒很細(xì)小，所以晶界較多，晶界是一種面缺陷，因此電阻反而有所增高。